Инженер по силовым приборам MOSFET, SBD, JFET, IGBT

15 Августа

Партнерские Вакансии

Компания "Микрон, Группа компаний"

Обязанности:

• Участие в проектировании и разработке конструкций силовых полупроводниковых приборов MOSFET, SBD, JFET, IGBT.

• Анализ результатов измерений параметров приборов и оптимизация их характеристик.

• Подготовка и согласование конструкторской документации (КД, ТЗ, ТТ).

• Участие в моделировании полупроводниковых приборов в системах автоматического проектирования (САПР).

• Разработка технических заданий на изготовление фотошаблонов и контроль их выполнения.

• Подготовка программ и методик измерений и испытаний полупроводниковых приборов.

• Участие в создании научно-технических отчетов, патентов и других результатов интеллектуальной деятельности.

• Взаимодействие с подразделениями компании и внешними партнерами для реализации проектов.

Требования:

• Высшее образование в области микроэлектроники, электроники или смежных направлений.

• Опыт работы в проектировании полупроводниковых приборов от 3 лет.

• Глубокие знания физических основ работы и конструкций полупроводниковых приборов.

• Опыт моделирования в САПР (например, TCAD, Silvaco, Sentaurus).

  Знание стандартов оформления конструкторской документации.

Условия:

• Возможность участия в высокотехнологичных проектах, связанных с разработкой и производством мощных высоковольтных полупроводниковых приборов.
• Стабильную заработную плату и социальный пакет (ДМС, корпоративное обучение, программы развития).
• Современное оборудование и комфортные условия труда.
• Возможность профессионального роста и развития в инновационной среде.